Nota : Ceci est la version 2010鈥�2011 de l鈥檃nnuaire 茅lectronique. Veuillez mettre 脿 jour l鈥檃nn茅e dans la barre d鈥檃dresse de votre navigateur pour une version plus r茅cente de cette page, ou cliquez聽ici pour consulter l'annuaire la plus r茅cente.
Vue d'ensemble
G茅nie 茅lectrique : Essential processes for silicon semiconductor device fabrication: etching, diffusion, photolithography. Fabrication of large area PN junctions, selective area PN junctions and MOSFETs. Design and fabrication of simple MOS circuits. Electrical characterization of devices and circuits.
Terms: Hiver 2011
Instructors: Shih, Ishiang (Winter)
- (1-3-2)
- Prerequisites: CCOM 206 or EDEC 206, ECSE 334
- Corequisite: ECSE 432 or ECSE 533
- Limited Enrolment - 12
- Lab hours assigned by instructor.